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MOSH半导体芯片制热技术

科学的安全的提升体温

MOSH半导体制热技术利用宽禁带半导体的外层电子在电场中受激发产生跃迁时无法越过能量禁带
成为自由电子,所接收的电能转化为4-20微米波长的远红外光谱(生命光波)释放。

通过气相沉积PVD电子工艺制成发的热芯片
所释放的热能为:

远红外光能

80%

焦耳热

20%

半导体材料的开发与应用对于我们时代的社会与技术的进步有着举足轻重的意义,光之科技公司创新研发的MOSH半导体制热技术是新一代具有高效率电热转化性能的制热技术,也是一项基础性技术,由其衍生的众多应用技术可以广泛应用于社会生活的各个方面,并且将以巨大的优势重塑所涉及应用领域的各个产业,创造科技改变未来的奇迹。

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专家顾问团队

陈安

国家千人计划科学家

罗隽

国家千人计划科学家

于志明

北京林业大学材料学院院长

陈占洋

美国伦斯勒理工学院博士

魏敦山

中国工程院院士

研发团队

刘腾蛟

中科院国家纳米中心博士

陈占洋

美国伦斯勒理工学院博士

李长青

清华大学材料学院博士后

刘晓东

同济大学建筑学博士

王浩强

清华大学电子系博士

张冷

清华大学材料学院博士

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